Propiedades espectrales y transporte cuántico de portadores de carga y espín en nanoestructuras semiconductoras
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| 1. | Título | Título del documento | Propiedades espectrales y transporte cuántico de portadores de carga y espín en nanoestructuras semiconductoras |
| 2. | Creador/a | Nombre de autor/a, institución, país | Leo Diago Cisneros, et al. |
| 3. | Materia | Disciplina(s) | |
| 3. | Materia | Palabra/s clave | |
| 4. | Descripción | Resumen | Antecedentes: La ausencia de sincronismo y simultaneidad en el tratamiento del tunelamiento cuántico de flujos de huecos incidentes, provocaba la pérdida recurrente de unitariedad en los flujos emergentes y la no detección de fenomenología relevante. Por otro lado el modelamiento teórico precedente del acoplamiento espín-órbita tipo Rashba para huecos –casos normal y anómalo-, en hilos cuánticos, asimismo como el transporte e interferencia de espines electrónicos en nano-anillos cuánticos, mostraba desajustes notables con el experimento y resultados numéricos contra-intuitivos. Problema resuelto: La relevancia de las contribuciones del presente estudio, la consideramos sustentada en la investigación sistemática de propiedades electrónicas y de transporte cuántico de electrones y huecos en presencia del espín y de interacción espín órbita, para sistemas físicos de dimensionalidad reducida, en el marco de modelos teóricos originales. Resultados: Los resultados los consideramos respaldados por 8 artículos científicos publicados en revistas nacionales e internacionales indexadas, 9 trabajos presentados en eventos nacionales e internacionales, 1 tesis de maestría defendida y 3 trabajos de diploma defendidos. Como complemento, cabe señalarse: 1 artículos en arbitraje, y una tesis de maestría para ser defendida próximamente. Conclusiones: En nuestras investigaciones, encontramos una vía eficaz para abordar los tópicos planteados arriba. Fueron resueltas varias problemáticas esenciales, de los modelos teóricos previos. A partir de las hipótesis iniciales, logramos desarrollar un estudio amplio y sistemático, que alcanzó una comprensión más exhaustiva sobre los formalismos matriciales, los formalismos no-lineales y la aplicación de estos al estudio del transporte cuántico y las excitaciones elementales de electrones y huecos en nanoestructuras semiconductoras a capas. Finalmente, en nuestras pesquisas encontramos soluciones teóricas, que superan las desventajas de aproximaciones precedentes que involucran procesos de transporte de portadores de carga eléctrica y espín en anillos, hilos y heteroestructuras. |
| 5. | Editorial | Institución organizadora, ubicación | Academia de Ciencias de Cuba |
| 6. | Colaborador/a | Patrocinador(es) | |
| 7. | Fecha | (DD-MM-AAAA) | 2017-01-10 |
| 8. | Tipo | Estado y género | Artículo revisado por pares |
| 8. | Tipo | Tipo | |
| 9. | Formato | Formato de archivo | |
| 10. | Identificador | Identificador uniforme de recursos | http://revistaccuba.sld.cu/index.php/revacc/article/view/581 |
| 11. | Fuente | Título; vol., núm. (año) | Anales de la Academia de Ciencias de Cuba; Vol.6 No.3 2016 |
| 12. | Idioma | Español=es | |
| 13. | Relación | Archivos complementarios | |
| 14. | Cobertura | Localización geoespacial, periodo cronológico, muestra de investigación (sexo, edad, etc.) | |
| 15. | Derechos | Derechos de autor/a y permisos |
Copyright (c) 2021 Leo Diago Cisneros, et al. Este obra está bajo una licencia de Creative Commons Reconocimiento-NoComercial 4.0 Internacional. |