Propiedades espectrales y transporte cuántico de portadores de carga y espín en nanoestructuras semiconductoras - Diago Cisneros, et al., Leo (Anales de la Academia de Ciencias de Cuba, 2017)
Antecedentes: La ausencia de sincronismo y simultaneidad en el tratamiento del tunelamiento cuántico de flujos de huecos incidentes, provocaba la pérdida recurrente de unitariedad en los flujos emergentes y la no detección de fenomenología relevante. Por otro lado el modelamiento teórico precedente del acoplamiento espín-órbita tipo Rashba para huecos –casos normal y anómalo-, en hilos cuánticos, asimismo como el transporte e interferencia de espines electrónicos en nano-anillos cuánticos, mostraba desajustes notables con el experimento y resultados numéricos contra-intuitivos. Problema resuelto: La relevancia de las contribuciones del presente estudio, la consideramos sustentada en la investigación sistemática de propiedades electrónicas y de transporte cuántico de electrones y huecos en presencia del espín y de interacción espín órbita, para sistemas físicos de dimensionalidad reducida, en el marco de modelos teóricos originales. Resultados: Los resultados los consideramos respaldados por 8 artículos científicos publicados en revistas nacionales e internacionales indexadas, 9 trabajos presentados en eventos nacionales e internacionales, 1 tesis de maestría defendida y 3 trabajos de diploma defendidos. Como complemento, cabe señalarse: 1 artículos en arbitraje, y una tesis de maestría para ser defendida próximamente. Conclusiones: En nuestras investigaciones, encontramos una vía eficaz para abordar los tópicos planteados arriba. Fueron resueltas varias problemáticas esenciales, de los modelos teóricos previos. A partir de las hipótesis iniciales, logramos desarrollar un estudio amplio y sistemático, que alcanzó una comprensión más exhaustiva sobre los formalismos matriciales, los formalismos no-lineales y la aplicación de estos al estudio del transporte cuántico y las excitaciones elementales de electrones y huecos en nanoestructuras semiconductoras a capas. Finalmente, en nuestras pesquisas encontramos soluciones teóricas, que superan las desventajas de aproximaciones precedentes que involucran procesos de transporte de portadores de carga eléctrica y espín en anillos, hilos y heteroestructuras.